導(dǎo)讀: 12月5日晚,三安光電發(fā)布公告稱,公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協(xié)議》,擬在福建省泉州芯谷南安園區(qū)投資注冊成立一個或若干項目公司。
12月5日晚,三安光電發(fā)布公告稱,公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協(xié)議》,擬在福建省泉州芯谷南安園區(qū)投資注冊成立一個或若干項目公司。在業(yè)內(nèi)人士看來,公司此次投資是在LED行業(yè)持續(xù)向好背景下的進一步擴產(chǎn)之舉。
根據(jù)公告,該投資合作協(xié)議議案已獲公司第九屆董事會第五次會議(2017年12月5日)審議通過。根據(jù)協(xié)議約定,此次投資總額高達333 億元(含公共配套設(shè)施投資)。財報顯示,截至今年三季度末,公司的貨幣資金為45.41億元。
三安光電透露,全部項目將在5年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn),7年內(nèi)全部項目實現(xiàn)達產(chǎn),經(jīng)營期限不少于25 年。達產(chǎn)后,年銷售收入約270 億元(按當(dāng)前產(chǎn)品單價計算)。公告顯示,產(chǎn)業(yè)化項目包括:高D氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目;高D砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目;大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目;光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目;射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目;功率型半導(dǎo)體(電力電子)的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目;特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目。
三安光電表示,公司主要從事III-V族化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用,著重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導(dǎo)體新材料所涉及到外延、芯片核心主業(yè),努力打造具有國際競爭力的半導(dǎo)體廠商。
在談及此次投資的影響,公司表示,本次投資項目屬于國家著力打造的新興戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),具有節(jié)能環(huán)保等特點,符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略,目的是把主業(yè)做大做強做精,可充分發(fā)揮公司產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng),豐富公司產(chǎn)品類別,大力提升公司產(chǎn)品附加值,延伸公司產(chǎn)業(yè)鏈,有利于進一步擴大公司產(chǎn)能,鞏固公司行業(yè)地位,繼續(xù)提升市場占有率,開拓新的應(yīng)用領(lǐng)域,打造具有全球影響力的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。
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