常用來制造LED的半導(dǎo)體材料
發(fā)布日期:2017-08-24 整理:雷舒科技
LED的發(fā)光源是——PN結(jié),是如何制成的?哪些是常用來制造LED的半導(dǎo)體材料?
發(fā)光二極管的實質(zhì)性結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體PN結(jié)。在PN結(jié)上加正向電壓時注入少數(shù)載流子,少數(shù)載流子的復(fù)合發(fā)光就是發(fā)光二極管的工作機(jī)理。PN結(jié)就是指在一單晶中,具有相鄰的P區(qū)和N區(qū)的結(jié)構(gòu),它通常是在一種導(dǎo)電類型的晶體上以擴(kuò)散、離子注入或生長的方法產(chǎn)生另一種導(dǎo)電類型的薄層來制得的。如曾用離子注入法制成碳化硅藍(lán)色LED,用擴(kuò)散法制成GaAs、GaAs0.60P0.40/GaAs0.35P0.65:N/GaP、GaAs0.15P0.85:N/GaP、GaP:ZnO/GaP的紅外、紅光、橙光、黃光、紅光LED,而GaAlAs、InGaN、InGaAlP超高亮度LED都是由生長結(jié)制成,效率較高的GaAs、GaP:ZnO/GaP和GaP:N/GaP LEDPN結(jié)也是用生長結(jié)制成的。生長結(jié)一般較擴(kuò)散法和離子注入法是過補(bǔ)償制成PN結(jié),無用雜質(zhì)過多且造成晶體質(zhì)量下降,缺陷增多,使用權(quán)非輻射復(fù)合增加,導(dǎo)致發(fā)光效率下降。

常用來制造LED的半導(dǎo)體材料主要有砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷、磷砷化鎵、銦鎵氮、銦鎵鋁磷等III-V族化合物半導(dǎo)體材料,其他還有IV族化合物半導(dǎo)體碳化硅、II-VI族化合物硒化鋅等。
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