生產(chǎn)超高亮LED的外延方法主要有幾種

生產(chǎn)超高亮LED的外延方法主要有幾種

發(fā)布日期：2017-08-24 整理：雷舒科技

當(dāng)前生產(chǎn)超高亮LED的外延方法主要有幾種？什么是MOCVD？

當(dāng)前生產(chǎn)超高亮LED的外延方法主要有兩種，即液相外延生產(chǎn)AlGaAs LED和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）生產(chǎn)AlGaAs、AlGaInP和InGaN LED。其中尤以MOCVD方法為主。

一九六八年，Manesevil等人用三甲基鎵（TMG）做鎵源AsH₃做As源，H₂作載氣在絕緣襯底（Al₂O₃ 、MgAlO₄ 等）上首次成功地氣相淀積了GaAs外延層，創(chuàng)立了金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積技木。后來的研究表明這是一種具有高可靠性、控制厚度、組成慘雜濃度精度高，垂直性好、靈活性大、非常適合于進(jìn)行III-V族化合物半導(dǎo)體及其溶體的外延生長，也可應(yīng)用于II-VI族等，是一種可以實現(xiàn)像硅外延那樣大規(guī)模生產(chǎn)的工藝，具有廣闊發(fā)展前途，目前是生產(chǎn)AlGaInP紅色和黃色LED和InGaN藍(lán)色、綠色和白色LED的可工業(yè)化方法。

由于MOCVD的晶體生長反應(yīng)是在熱分解中進(jìn)行的，所以又叫熱分解法。通常用III族烷基化合物（Al、Ga、In等的甲基或乙基化合物）作為III族源，用V族氫化物（NH₃、PH₃、AsH₃等作為V族源。由III族烷基化合物在室溫附近是蒸氣壓較高的液體，所以用氫氣作載氣鼓泡并使之飽和，再將其與V族氫化物一起通入反應(yīng)爐中，即在加熱的襯底上進(jìn)行熱分解，生成化合物晶體淀積在襯底上。

先進(jìn)的MOCVD設(shè)備應(yīng)具有一個同時生長多片均勻材料，并能長期保持穩(wěn)定的生長系統(tǒng)。設(shè)備的精Q過程控制是保證能重復(fù)和靈活地進(jìn)行生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)外延材料的必要條件。所以設(shè)備應(yīng)具有對載氣流量和反應(yīng)劑壓力的精密控制系統(tǒng)，并配備有快速的氣體轉(zhuǎn)換開關(guān)和壓力平衡裝置。將用合適結(jié)構(gòu)，使用權(quán)熱場均勻，并保證具有滿意的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌和外延爐內(nèi)、片與片、爐與爐之間的均勻性。

目前國際上供應(yīng)MOCVD設(shè)備的公司主要有三個，即美國Veeco公司、德國的Aixtron公司和美國的Thomas Swan公司。

雷舒科技提供的所有LED工礦燈都是符合CCC認(rèn)證產(chǎn)品（證書編號：2016011001868284），并為客戶免費提供Dialux照度設(shè)計，確保無縫替換傳統(tǒng)燈具和新的照度要求！

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