通過上述幾個(gè)問題的回答,我們已基本上了解目前LED芯片的電一光轉(zhuǎn)換效率不是很高,也就是說其內(nèi)量子效率和外量子效率都有很大的提高空間,需要LED科技、產(chǎn)業(yè)界去努力改進(jìn)。
內(nèi)量子效率的改進(jìn),從改進(jìn)半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)、位錯(cuò)和缺陷著手,另外從PN結(jié)生長工藝上加以改善,在芯片結(jié)構(gòu)和形狀設(shè)計(jì)上也有提高的余地,要做較多的工作,并要充分開拓新材料、新工藝以取得效率提高上的突破。
在芯片電極設(shè)計(jì)和電極引出上采用新的構(gòu)思和工藝方法,在這方面近年已有較大提高與突破。另外,在材料、光學(xué)設(shè)計(jì)方面均要加以改進(jìn),總之要做的工作很多,電一光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到一定值LED可以成為傳統(tǒng)光源的取代者。
LED電一光轉(zhuǎn)換效率不高引起的另一個(gè)問題在于PN結(jié)內(nèi)部電能損耗為熱能,引起LED芯片發(fā)熱,過高的熱量會(huì)引起LED PN結(jié)的退化,具體表現(xiàn)為光電參數(shù)的變劣,因此提高LED芯片的電一光轉(zhuǎn)換是從根本上解決LED熱退化的關(guān)鍵所在,也是LED能否真正取代傳統(tǒng)光源的技木關(guān)鍵所在。
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