基于氮化銦鎵技木和現(xiàn)有的制造設(shè)施，應(yīng)變工程可以為微顯示器提供一種可行的方法。

基于銦鎵氮化物（InGaN）多量子阱的應(yīng)變工程，美國(guó)密歇根大學(xué)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出單片集成的琥珀-綠-藍(lán)色LED（圖1）。該應(yīng)變工程是通過(guò)蝕刻不同直徑的納米柱來(lái)實(shí)現(xiàn)。

圖1.各種直徑的納米柱LED陣列自上向下制造示意圖

研究人員希望未來(lái)能用635nm光致發(fā)光的量子阱生產(chǎn)出紅-綠-藍(lán)LED，為基于這種像素LED的微顯示器提供可行的方法。其他潛在應(yīng)用包括照明、生物傳感器和光遺傳學(xué)。

除了美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)（NSF）的支持外，三星還為制造和設(shè)備設(shè)計(jì)提供了支持。研究人員希望開(kāi)發(fā)出基于現(xiàn)有制造基礎(chǔ)設(shè)施的芯片級(jí)多色LED平臺(tái)。

外延材料通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）在2英寸無(wú)圖案藍(lán)寶石上生長(zhǎng)。發(fā)光有源區(qū)域由5個(gè)2.5nm InGaN阱組成，由12nm GaN柵極隔開(kāi)。電子阻擋層和p-接觸層分別由20nm的氮化鋁鎵(p-Al0.2Ga0.8N)和150nm的p-GaN組成。

使用電子束光刻使納米柱成型，用鎳掩模進(jìn)行混合干濕法蝕刻處理。大部分蝕刻是干的電感耦合等離子體，濕法蝕刻階段用于實(shí)現(xiàn)蕞終直徑，并且去除干法蝕刻步驟中的損害。蝕刻深度約為300nm。在整個(gè)制造過(guò)程中，保護(hù)蝕刻掩模，目的是為了保護(hù)p-GaN表面。

在對(duì)50nm氮化硅進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）之后，用旋涂式玻璃對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行平整，以電隔離n和p-GaN部分。

將平整后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行干式回蝕，以暴露柱的尖端。用硝酸溶液除去鎳掩模材料。 p接觸的鎳/金金屬化在空氣中進(jìn)行熱退火。

設(shè)備的電氣性能在5V反向偏壓下顯示出每像素約3x10-7A的低泄漏。低泄漏歸因于兩個(gè)因素 - 扁平量子阱提供了低電流擁擠效應(yīng)，以及由應(yīng)變引發(fā)的載流子到納米柱中心的限制。在較窄的納米柱中由于更大的電流密度造成的下降效應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)，可通過(guò)減小應(yīng)變進(jìn)行改善，因此降低了由于III-氮化物中化學(xué)鍵的電荷極化引起的電場(chǎng)而出現(xiàn)的量子限制“斯塔克效應(yīng)”。

像素由具有不同直徑、發(fā)出不同顏色的柱構(gòu)成（圖2）。隨著直徑的增加，波長(zhǎng)變長(zhǎng)，變化更大。研究人員將變化歸因于晶圓上量子阱厚度的變化。

圖2.（a）從50nm、100nm和800nm直徑的納米柱和薄膜LED像素獲得的藍(lán)色（487nm）、綠色（512nm）、橙色（575nm）和琥珀色（600nm）光的室溫電致發(fā)光光譜。

（b）采用一維應(yīng)力松弛理論得出的光波長(zhǎng)。

（c）各種施加偏置電壓下的主峰位置。

隨著電壓和電流注入的增加，越來(lái)越寬松的窄納米管也顯示較少的波長(zhǎng)藍(lán)移。 800nm直徑納米柱像素的藍(lán)移在2.8V和4V之間為40nm。這歸功于研究團(tuán)隊(duì)篩選阱中依賴于應(yīng)變的壓電場(chǎng)。

該團(tuán)隊(duì)通過(guò)脈沖頻率調(diào)制固定偏置電壓及改變強(qiáng)度，因此來(lái)穩(wěn)定像素的輸出波長(zhǎng)。通過(guò)這個(gè)試驗(yàn)表明，所有像素類型給出了穩(wěn)定的波長(zhǎng)和相對(duì)電致發(fā)光強(qiáng)度，其與脈沖信號(hào)的占空比呈現(xiàn)幾乎線性地變化。脈沖寬度為400μs。 脈沖頻率在200Hz和2000Hz之間變化。